FDB10AN06A0_Q

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

FDB10AN06A0_Q datasheet

• Маркировка
  FDB10AN06A0_Q
• Производитель
  Fairchild Semiconductor
• Описание
  Fairchild Semiconductor FDB10AN06A0_Q Configuration: Single Continuous Drain Current: 75 A Drain-source Breakdown Voltage: 60 V Fall Time: 36 ns Gate-source Breakdown Voltage: +/- 20 V Maximum Operating Temperature: + 175 C Minimum Operating Temperature: - 55 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: TO-263AB Power Dissipation: 135 W Product Category: MOSFET Resistance Drain-source Rds (on): 0.0095 Ohms at 10 V Rise Time: 128 ns Transistor Polarity: N-Channel Typical Turn-off Delay Time: 27 ns Drain-Source Breakdown Voltage: 60 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 20 V Resistance Drain-Source RDS (on): 0.0095 Ohms at 10 V Typical Turn-Off Delay Time: 27 ns
• Количество страниц
  13 шт.
• Форматы файла
  HTML, PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet FDB10AN06A0_Q.pdf
Файл формата Pdf 253,69 KB